Synthesis and phase evolutions in layered structure of Ga2S3 semiconductor thin films on epiready GaAs (111) substrates. | ACS Appl Mater Interfaces;6(5): 3501-7, 2014 Mar 12. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

Biblioteca Virtual em Saúde

Saúde Pública Brasil

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Synthesis and phase evolutions in layered structure of Ga2S3 semiconductor thin films on epiready GaAs (111) substrates.

Liu, H F; Ansah Antwi, K K; Yakovlev, N L; Tan, H R; Ong, L T; Chua, S J; Chi, D Z.

Afiliação

Liu HF; Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Science, Technology and Research) , 3 Research Link, Singapore 117602, Singapore.

ACS Appl Mater Interfaces ; 6(5): 3501-7, 2014 Mar 12.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24397590

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article