Formation of nanogaps in InAs nanowires by selectively etching embedded InP segments. | Nanotechnology;25(46): 465306, 2014 Nov 21. | MEDLINE

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Formation of nanogaps in InAs nanowires by selectively etching embedded InP segments.

Schukfeh, M I; Storm, K; Hansen, A; Thelander, C; Hinze, P; Beyer, A; Weimann, T; Samuelson, L; Tornow, M.

Afiliação

Schukfeh MI; Institut für Halbleitertechnik, Technische Universität Braunschweig, Germany.

Nanotechnology ; 25(46): 465306, 2014 Nov 21.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25360747

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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