Uniform self-rectifying resistive random-access memory based on an MXene-TiO2 Schottky junction.
Nanoscale Adv
; 4(23): 5062-5069, 2022 Nov 22.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-36504734
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Tipo de estudo:
Clinical_trials
Idioma:
En
Ano de publicação:
2022
Tipo de documento:
Article