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1.
Microsc Microanal ; 17(6): 944-9, 2011 Dec.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-22008643

RESUMO

Atomic force microscopy probe-induced large-area ultrathin SiO(x) (x ≡ O/Si content ratio and x > 2) protrusions only a few nanometers high on a SiO(2) layer were characterized by scanning photoemission microscopy (SPEM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS). SPEM images of the large-area ultrathin SiO(x) protrusions directly showed the surface chemical distribution and chemical state specifications. The peak intensity ratios of the XPS spectra of the large-area ultrathin SiO(x) protrusions provided the elemental quantification of the Si 2p core levels and Si oxidation states (such as the Si(4+), Si(3+), Si(2+), and Si(1+) species). The O/Si content ratio (x) was evidently determined by the height of the large-area ultrathin SiO(x) protrusions.


Assuntos
Técnicas Eletroquímicas/métodos , Microscopia de Força Atômica/métodos , Nanotecnologia , Semicondutores , Dióxido de Silício/química , Teste de Materiais , Microscopia de Força Atômica/instrumentação , Oxirredução , Espectroscopia Fotoeletrônica , Propriedades de Superfície , Temperatura
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