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1.
Comment on "Origin of the Stokes shift: A geometrical model of exciton spectra in 2D semiconductors"
Kash JA.
Phys Rev Lett ; 71(8): 1286, 1993 Aug 23.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10055499
2.
Kash, Tsang, and Ulbrich reply.
Kash JA; Tsang JC; Ulbrich RG.
Phys Rev Lett ; 65(2): 275, 1990 Jul 09.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10042602
3.
Sub-picosecond time-resolved Raman spectroscopy of LO phonons in GaAs.
Kash JA; Tsang JC; Hvam JM.
Phys Rev Lett ; 54(19): 2151-2154, 1985 May 13.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10031242
4.
Hot-electron recombination at neutral acceptors in GaAs: A cw probe of femtosecond intervalley scattering.
Ulbrich RG; Kash JA; Tsang JC.
Phys Rev Lett ; 62(8): 949-952, 1989 Feb 20.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10040379
5.
Kash, Jha, and Tsang reply.
Kash JA; Jha SS; Tsang JC.
Phys Rev Lett ; 60(9): 864, 1988 Feb 29.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10038676
6.
Picosecond Raman studies of the Fröhlich interaction in semiconductor alloys.
Kash JA; Jha SS; Tsang JC.
Phys Rev Lett ; 58(18): 1869-1872, 1987 May 04.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10034559
7.
Anisotropic valence bands in quantum wells: Quantitative comparison of theory and experiment.
Kash JA; Zachau M; Tischler MA; Ekenberg U.
Phys Rev Lett ; 69(15): 2260-2263, 1992 Oct 12.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10046439
8.
Fermi-Dirac distribution of excitons in coupled quantum wells.
Kash JA; Zachau M; Mendez EE; Hong JM; Fukuzawa T.
Phys Rev Lett ; 66(17): 2247-2250, 1991 Apr 29.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10043434
9.
Kash et al. reply.
Kash JA; Zachau M; Mendez EE; Hong JM; Fukuzawa T.
Phys Rev Lett ; 69(6): 994, 1992 Aug 10.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10047094
10.
Long mean free path of hot electrons selectively injected to higher subbands.
Laikhtman B; Sivan U; Yacoby A; Umbach CP; Heiblum M; Kash JA; Shtrikman H.
Phys Rev Lett ; 65(17): 2181-2184, 1990 Oct 22.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10042474
11.
Influence of the carrier distribution on carrier-carrier scattering in GaAs.
Kash JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 51(7): 4680-4683, 1995 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9979325
12.
Hot-electron luminescence: A comparison of GaAs and InP.
Kash JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(3): 1221-1227, 1993 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10006128
13.
Carrier-carrier scattering: An experimental comparison of bulk GaAs and GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.
Kash JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 48(24): 18336-18339, 1993 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10008489
14.
Carrier-carrier scattering in GaAs: Quantitative measurements from hot (e,A0) luminescence.
Kash JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(5): 3455-3458, 1989 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9992307
15.
Picosecond spectroscopy of hot anti-Stokes luminescence in GaAs.
Tsang JC; Kash JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(8): 6003-6006, 1986 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9940464
16.
Relaxation of excitons in thin quantum wells.
Zachau M; Kash JA; Masselink WT.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(15): 8403-8406, 1991 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9998793
17.
Measurement of the hole dispersion in a quantum well by hot-electron-acceptor luminescence.
Zachau M; Kash JA; Masselink WT.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(8): 4048-4051, 1991 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10000046
18.
Thermally activated exciton transfer in GaAs1-xPx
Kash JA; Mariette H; Wolford DJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 32(6): 3753-3757, 1985 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9937524
19.
Raman scattering in the presence of photoexcited nonequilibrium carriers in semiconductors: Theoretical considerations.
Jha SS; Kash JA; Tsang JC.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(8): 5498-5511, 1986 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9940382
20.
Exciton transfer at low temperature in GaxIn1-xP:N and GaAs1-xPx:N.
Mariette H; Kash JA; Wolford DJ; Marbeuf A.
Phys Rev B Condens Matter ; 31(8): 5217-5222, 1985 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9936483
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