Evaluation of quantum confinement effect in nanocrystal Si dot layer by Raman spectroscopy.

Mizukami, Y; Kosemura, D; Numasawa, Y; Ohshita, Y; Ogura, A

Mizukami, Y; Kosemura, D; Numasawa, Y; Ohshita, Y; Ogura, A.

Mizukami Y; School of Science and Technology, Meiji University, 1-1-1 Higashi-Mita, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, Japan.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(11): 8700-3, 2012 Nov.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23421269

Asunto(s)

Cristalización/métodos; Nanoestructuras/química; Nanoestructuras/ultraestructura; Puntos Cuánticos; Silicio/química; Sustancias Macromoleculares/química; Ensayo de Materiales; Conformación Molecular; Tamaño de la Partícula; Teoría Cuántica; Propiedades de Superficie

Search on Google

Imprimir

XML

PubMed Links

Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Silicio / Cristalización / Puntos Cuánticos / Nanoestructuras Idioma: En Año: 2012 Tipo del documento: Article

Search on Google

Imprimir

XML

PubMed Links

Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Silicio / Cristalización / Puntos Cuánticos / Nanoestructuras Idioma: En Año: 2012 Tipo del documento: Article