Demonstration of Silicon-on-insulator mid-infrared spectrometers operating at 3.8 µm.

Muneeb, M; Chen, X; Verheyen, P; Lepage, G; Pathak, S; Ryckeboer, E; Malik, A; Kuyken, B; Nedeljkovic, M; Van Campenhout, J; Mashanovich, G Z; Roelkens, G

Muneeb, M; Chen, X; Verheyen, P; Lepage, G; Pathak, S; Ryckeboer, E; Malik, A; Kuyken, B; Nedeljkovic, M; Van Campenhout, J; Mashanovich, G Z; Roelkens, G.

Muneeb M; Photonics Research Group, Department of Information Technology, Ghent University - IMEC, Sint-Pietersnieuwstraat 41, 9000 Ghent, Belgium.

Opt Express ; 21(10): 11659-69, 2013 May 20.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23736389

Asunto(s)

Refractometría/instrumentación; Silicio/química; Espectrofotometría Infrarroja/instrumentación; Resonancia por Plasmón de Superficie/instrumentación; Conductividad Eléctrica; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo

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Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Refractometría / Silicio / Espectrofotometría Infrarroja / Resonancia por Plasmón de Superficie Idioma: En Año: 2013 Tipo del documento: Article

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