Planar edge Schottky barrier-tunneling transistors using epitaxial graphene/SiC junctions.

Kunc, Jan; Hu, Yike; Palmer, James; Guo, Zelei; Hankinson, John; Gamal, Salah H; Berger, Claire; de Heer, Walt A.

Kunc J; School of Physics, Georgia Institute of Technology , Atlanta, Georgia 30332, United States.

Nano Lett ; 14(9): 5170-5, 2014 Sep 10.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25115623

Palabras clave

Epitaxial graphene; Schottky barrier transistor; semi-insulating silicon carbide; space-charge-limited current; tunneling field effect transistor

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Año: 2014 Tipo del documento: Article

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