Improving the field-effect performance of Bi2S3 single nanowires by an asymmetric device fabrication.

Lu, Fangyuan; Li, Renxiong; Li, Yan; Huo, Nengjie; Yang, Juehan; Li, Yongtao; Li, Bo; Yang, Shengxue; Wei, Zhongming; Li, Jingbo.

Lu F; State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing100083 (China).

Chemphyschem ; 16(1): 99-103, 2015 Jan 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25294685

Palabras clave

Bi2S3 nanowires; asymmetric electrodes; band alignment; carrier mobility; photoresponse

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Año: 2015 Tipo del documento: Article

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