Comparison of recessed gate-head structures on normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor performance.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(11): 8141-7, 2014 Nov.
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| ID: mdl-25958488
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Banco de datos:
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Asunto principal:
Compuestos de Aluminio
/
Electrónica
/
Galio
Idioma:
En
Año:
2014
Tipo del documento:
Article