Atomic Layer Deposition of Zirconium-Based High-k Metal Gate Oxide: Effect of Si Containing Zr Precursor. | J Nanosci Nanotechnol;15(1): 382-5, 2015 Jan. | MEDLINE

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Atomic Layer Deposition of Zirconium-Based High-k Metal Gate Oxide: Effect of Si Containing Zr Precursor.

Cho, Jun Hee; Lee, Sang-Ick; Kim, Jong Hyun; Yim, Sang Jun; Shin, Hyung Soo; Han, Mi Jeong; Chae, Won Mook; Lee, Sung Duck; Ahn, Chi Young; Kim, Myong-Woon.

J Nanosci Nanotechnol ; 15(1): 382-5, 2015 Jan.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26328365

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Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Año: 2015 Tipo del documento: Article

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