The Fabrication and Characterization of Ni/4H-SiC Schottky Diode Radiation Detectors with a Sensitive Area of up to 4 cm².
Sensors (Basel)
; 17(10)2017 Oct 13.
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| ID: mdl-29027944
Texto completo:
1
Banco de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Diagnostic_studies
Idioma:
En
Año:
2017
Tipo del documento:
Article