Improved light extraction efficiency in GaN-based light emitting diode by nano-scale roughening of p-GaN surface. | J Nanosci Nanotechnol;8(10): 5393-7, 2008 Oct. | MEDLINE

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Improved light extraction efficiency in GaN-based light emitting diode by nano-scale roughening of p-GaN surface.

Park, Sang Jae; Sadasivam, Karthikeyan Giri; Chung, Tae Hoon; Hong, Gi Cheol; Kim, Jin Bong; Kim, Sang Mook; Park, Si-Hyun; Jeon, Seong-Ran; Lee, June Key.

Afiliação

Park SJ; Interdisciplinary Program of Photonics Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 8(10): 5393-7, 2008 Oct.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19198463

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Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article

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