The performance of in situ grown Schottky-barrier single wall carbon nanotube field-effect transistors.

Zhou, Zhixian; Eres, Gyula; Jin, Rongying; Subedi, Alaska; Mandrus, David; Kim, Eugene H

Zhou, Zhixian; Eres, Gyula; Jin, Rongying; Subedi, Alaska; Mandrus, David; Kim, Eugene H.

Afiliação

Zhou Z; Department of Physics and Astronomy, Wayne State University, Detroit, MI 48201, USA. zxzhou@wayne.edu

Nanotechnology ; 20(8): 085709, 2009 Feb 25.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19417470

Assuntos

Cristalização/métodos; Nanotecnologia/métodos; Nanotubos de Carbono/química; Nanotubos de Carbono/ultraestrutura; Transistores Eletrônicos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Substâncias Macromoleculares/química; Teste de Materiais; Conformação Molecular; Tamanho da Partícula; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Transistores Eletrônicos / Cristalização / Nanotecnologia / Nanotubos de Carbono Idioma: En Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article

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