Vertical InAs nanowire wrap gate transistors with f(t) > 7 GHz and f(max) > 20 GHz.

Egard, M; Johansson, S; Johansson, A-C; Persson, K-M; Dey, A W; Borg, B M; Thelander, C; Wernersson, L-E; Lind, E

Egard, M; Johansson, S; Johansson, A-C; Persson, K-M; Dey, A W; Borg, B M; Thelander, C; Wernersson, L-E; Lind, E.

Afiliação

Egard M; Solid State Physics, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden. mikael.egard@ftf.lth.se.

Nano Lett ; 10(3): 809-12, 2010 Mar 10.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20131812

Assuntos

Arsenicais/química; Índio/química; Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/instrumentação; Transistores Eletrônicos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Teste de Materiais; Micro-Ondas; Nanoestruturas/ultraestrutura; Tamanho da Partícula

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Arsenicais / Transistores Eletrônicos / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Índio Tipo de estudo: Evaluation_studies Idioma: En Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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