Growth of germanium nanowires using liquid GeCl4 as a precursor: the critical role of Si impurities. | Chem Commun (Camb);(34): 5124-6, 2009 Sep 14. | MEDLINE

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Growth of germanium nanowires using liquid GeCl4 as a precursor: the critical role of Si impurities.

Song, Hyun Jae; Yoon, Seok Min; Shin, Hyun-Joon; Lim, Hyunseob; Park, Chibeom; Choi, Hee Cheul.

Afiliação

Song HJ; Department of Chemistry and Graduate Institute of Advanced Materials Science, Pohang University of Science and Technology, San 31, Hyoja-Dong, Nam-Gu, Pohang, 790-784, Korea.

Chem Commun (Camb) ; (34): 5124-6, 2009 Sep 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20448967

Assuntos

Cloretos/química; Germânio/química; Nanofios/química; Dióxido de Silício/química; Tamanho da Partícula; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Cloretos / Dióxido de Silício / Nanofios / Germânio Idioma: En Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Cloretos / Dióxido de Silício / Nanofios / Germânio Idioma: En Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article