Photon antibunching from a single lithographically defined InGaAs/GaAs quantum dot.

Verma, V B; Stevens, Martin J; Silverman, K L; Dias, N L; Garg, A; Coleman, J J; Mirin, R P

Verma, V B; Stevens, Martin J; Silverman, K L; Dias, N L; Garg, A; Coleman, J J; Mirin, R P.

Afiliação

Verma VB; Optoelectronics Division, National Institute of Standards and Technology, Boulder, Colorado 80305, USA. verma@nist.gov

Opt Express ; 19(5): 4182-7, 2011 Feb 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21369247

Assuntos

Arsenicais/química; Gálio/química; Índio/química; Pontos Quânticos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Teste de Materiais; Fótons

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Arsenicais / Pontos Quânticos / Gálio / Índio Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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