High-performance GaN metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors using gallium oxide as gate layer. | Opt Express;19(13): 12658-63, 2011 Jun 20. | MEDLINE

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High-performance GaN metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors using gallium oxide as gate layer.

Lee, Ming-Lun; Mue, T S; Huang, F W; Yang, J H; Sheu, J K.

Afiliação

Lee ML; Department of Electro-Optical Engineering, Southern Taiwan University, Tainan County 71001, Taiwan. minglun@mail.stut.edu.tw

Opt Express ; 19(13): 12658-63, 2011 Jun 20.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21716508

Assuntos

Gálio/química; Dispositivos Ópticos; Óptica e Fotônica/métodos; Semicondutores; Raios Ultravioleta; Eletrônica; Óptica e Fotônica/instrumentação; Processos Fotoquímicos

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Raios Ultravioleta / Dispositivos Ópticos / Óptica e Fotônica / Gálio Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Raios Ultravioleta / Dispositivos Ópticos / Óptica e Fotônica / Gálio Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article