Periodically changing morphology of the growth interface in Si, Ge, and GaP nanowires.

Wen, C-Y; Tersoff, J; Hillerich, K; Reuter, M C; Park, J H; Kodambaka, S; Stach, E A; Ross, F M.

Afiliação

Wen CY; School of Materials Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA.

Phys Rev Lett ; 107(2): 025503, 2011 Jul 08.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21797618

Buscar no Google

Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article