23 GHz Ge/SiGe multiple quantum well electro-absorption modulator.

Chaisakul, Papichaya; Marris-Morini, Delphine; Rouifed, Mohamed-Saïd; Isella, Giovanni; Chrastina, Daniel; Frigerio, Jacopo; Le Roux, Xavier; Edmond, Samson; Coudevylle, Jean-René; Vivien, Laurent

Chaisakul, Papichaya; Marris-Morini, Delphine; Rouifed, Mohamed-Saïd; Isella, Giovanni; Chrastina, Daniel; Frigerio, Jacopo; Le Roux, Xavier; Edmond, Samson; Coudevylle, Jean-René; Vivien, Laurent.

Afiliação

Chaisakul P; Institut d'Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, CNRS UMR 8622, Bât. 220, 91405 Orsay Cedex, France. papichaya.chaisakul@u-psud.fr

Opt Express ; 20(3): 3219-24, 2012 Jan 30.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22330559

Assuntos

Germânio/química; Semicondutores; Silício/química; Ressonância de Plasmônio de Superfície/instrumentação; Telecomunicações/instrumentação; Desenho Assistido por Computador; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Teoria Quântica

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Silício / Telecomunicações / Ressonância de Plasmônio de Superfície / Germânio Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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