High performance of InGaN light-emitting diodes by air-gap/GaN distributed Bragg reflectors.

Ryu, Jae Hyoung; Kim, Hee Yun; Kim, Hyun Kyu; Katharria, Yashpal Singh; Han, Nam; Kang, Ji Hye; Park, Young Jae; Han, Min; Ryu, Beo Deul; Ko, Kang Bok; Suh, Eun-Kyoung; Hong, Chang-Hee

Ryu, Jae Hyoung; Kim, Hee Yun; Kim, Hyun Kyu; Katharria, Yashpal Singh; Han, Nam; Kang, Ji Hye; Park, Young Jae; Han, Min; Ryu, Beo Deul; Ko, Kang Bok; Suh, Eun-Kyoung; Hong, Chang-Hee.

Afiliação

Ryu JH; Semiconductor Physics Research Center, School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea.

Opt Express ; 20(9): 9999-10003, 2012 Apr 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22535092

Assuntos

Gálio/química; Índio/química; Iluminação/instrumentação; Pontos Quânticos; Refratometria/instrumentação; Semicondutores; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento

Texto completo

Imprimir

XML

PubMed Links

Buscar no Google

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Refratometria / Semicondutores / Iluminação / Pontos Quânticos / Gálio / Índio Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

Texto completo

Imprimir

XML

PubMed Links

Buscar no Google