Electronic level scheme in boron- and phosphorus-doped silicon nanowires. | Nano Lett;12(6): 3012-7, 2012 Jun 13. | MEDLINE

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Electronic level scheme in boron- and phosphorus-doped silicon nanowires.

Sato, Keisuke; Castaldini, Antonio; Fukata, Naoki; Cavallini, Anna.

Afiliação

Sato K; Department of Physics, University of Bologna, Viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy.

Nano Lett ; 12(6): 3012-7, 2012 Jun 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22545949

Assuntos

Boro/química; Nanoestruturas/química; Nanoestruturas/ultraestrutura; Fósforo/química; Silício/química; Transporte de Elétrons; Teste de Materiais

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Fósforo / Silício / Boro / Nanoestruturas Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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