Initial stage growth of GexSi1-x layers and Ge quantum dot formation on GexSi1-x surface by MBE.

Nikiforov, Aleksandr I; Timofeev, Vyacheslav A; Teys, Serge A; Gutakovsky, Anton K; Pchelyakov, Oleg P.

Afiliação

Nikiforov AI; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Science, Lavrentjeva 13, Novosibirsk, 630090, Russia. nikif@isp.nsc.ru.

Nanoscale Res Lett ; 7(1): 561, 2012 Oct 09.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23043796

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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