CMOS-compatible, athermal silicon ring modulators clad with titanium dioxide.

Djordjevic, Stevan S; Shang, Kuanping; Guan, Binbin; Cheung, Stanley T S; Liao, Ling; Basak, Juthika; Liu, Hai-Feng; Yoo, S J B

Djordjevic, Stevan S; Shang, Kuanping; Guan, Binbin; Cheung, Stanley T S; Liao, Ling; Basak, Juthika; Liu, Hai-Feng; Yoo, S J B.

Afiliação

Djordjevic SS; Department of of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, California 95616, USA. sdjordjevic@ucdavis.edu

Opt Express ; 21(12): 13958-68, 2013 Jun 17.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23787585

Assuntos

Semicondutores; Silício/química; Ressonância de Plasmônio de Superfície/instrumentação; Telecomunicações/instrumentação; Titânio/química; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Silício / Telecomunicações / Titânio / Ressonância de Plasmônio de Superfície Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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