Composition fluctuation of in and well-width fluctuation in InGaN/GaN multiple quantum wells in light-emitting diode devices.

Gu, Gil Ho; Jang, Dong Hyun; Nam, Ki Bum; Park, Chan Gyung.

Afiliação

Gu GH; Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, 790-784, South Korea.

Microsc Microanal ; 19 Suppl 5: 99-104, 2013 Aug.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23920184

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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