Annular fast electron transport in silicon arising from low-temperature resistivity. | Phys Rev Lett;111(9): 095001, 2013 Aug 30. | MEDLINE

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Annular fast electron transport in silicon arising from low-temperature resistivity.

MacLellan, D A; Carroll, D C; Gray, R J; Booth, N; Burza, M; Desjarlais, M P; Du, F; Gonzalez-Izquierdo, B; Neely, D; Powell, H W; Robinson, A P L; Rusby, D R; Scott, G G; Yuan, X H; Wahlström, C-G; McKenna, P.

Afiliação

MacLellan DA; Department of Physics, SUPA, University of Strathclyde, Glasgow G4 0NG, United Kingdom.

Phys Rev Lett ; 111(9): 095001, 2013 Aug 30.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24033041

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Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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