Controlling the electronic properties of SWCNT FETs via modification of the substrate surface prior to atomic layer deposition of 10 nm thick Al2O3 film. | Nanotechnology;24(45): 455701, 2013 Nov 15. | MEDLINE

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Controlling the electronic properties of SWCNT FETs via modification of the substrate surface prior to atomic layer deposition of 10 nm thick Al2O3 film.

Kim, Joonsung; Yoon, Jangyeol; Na, Junhong; Yee, Seongmin; Kim, Gyu Tae; Ha, Jeong Sook.

Afiliação

Kim J; Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Korea.

Nanotechnology ; 24(45): 455701, 2013 Nov 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24141361

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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