Extraction of recombination coefficients and internal quantum efficiency of GaN-based light emitting diodes considering effective volume of active region.
Opt Express
; 22(2): 1235-42, 2014 Jan 27.
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em En
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| ID: mdl-24515129
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1
Base de dados:
MEDLINE
Assunto principal:
Semicondutores
/
Iluminação
/
Gálio
/
Modelos Químicos
Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Ano de publicação:
2014
Tipo de documento:
Article