Influence of stoichiometry on the optical and electrical properties of chemical vapor deposition derived MoS2.

Kim, In Soo; Sangwan, Vinod K; Jariwala, Deep; Wood, Joshua D; Park, Spencer; Chen, Kan-Sheng; Shi, Fengyuan; Ruiz-Zepeda, Francisco; Ponce, Arturo; Jose-Yacaman, Miguel; Dravid, Vinayak P; Marks, Tobin J; Hersam, Mark C; Lauhon, Lincoln J

Kim, In Soo; Sangwan, Vinod K; Jariwala, Deep; Wood, Joshua D; Park, Spencer; Chen, Kan-Sheng; Shi, Fengyuan; Ruiz-Zepeda, Francisco; Ponce, Arturo; Jose-Yacaman, Miguel; Dravid, Vinayak P; Marks, Tobin J; Hersam, Mark C; Lauhon, Lincoln J.

Afiliação

Kim IS; Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University , Evanston, Illinois 60208, United States.

ACS Nano ; 8(10): 10551-8, 2014 Oct 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25223821

Assuntos

Dissulfetos/química; Molibdênio/química; Espectroscopia Fotoeletrônica; Análise Espectral Raman

Palavras-chave

X-ray photoelectron spectroscopy; chemical vapor deposition; field-effect mobility; molybdenum disulfide; photoluminescence; stoichiometry; transition metal dichalcogenides

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Dissulfetos / Molibdênio Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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