Influence of solution volume on the dissolution rate of silicon dioxide in hydrofluoric acid.

Shvartsev, Boris; Gelman, Danny; Komissarov, Ilia; Epshtein, Alon; Starosvetsky, David; Ein-Eli, Yair.

Afiliação

Shvartsev B; Department of Materials Science and Engineering, Technion-Israeli Institute of Technology, Haifa (Israel).

Chemphyschem ; 16(2): 370-6, 2015 Feb 02.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25399799

Palavras-chave

electrochemistry; etching rate; hydrofluoric acid; silicon dioxide; thin films

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article