Modulating the interface quality and electrical properties of HfTiO/InGaAs gate stack by atomic-layer-deposition-derived Al2O3 passivation layer.

He, Gang; Gao, Juan; Chen, Hanshuang; Cui, Jingbiao; Sun, Zhaoqi; Chen, Xiaoshuang.

Afiliação

He G; School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University , Hefei 230039, P.R. China.

ACS Appl Mater Interfaces ; 6(24): 22013-25, 2014 Dec 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25471009

Palavras-chave

atomic-layer-deposition; electrical properties; high-k gate dielectric; metal-oxide-semiconductor; surface passivation

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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