Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser. | Opt Express;23(9): 11334-40, 2015 May 04. | MEDLINE

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Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser.

Tian, Yingdong; Yan, Jianchang; Zhang, Yun; Chen, Xiang; Guo, Yanan; Cong, Peipei; Sun, Lili; Wang, Qinjin; Guo, Enqing; Wei, Xuecheng; Wang, Junxi; Li, Jinmin.

Opt Express ; 23(9): 11334-40, 2015 May 04.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25969228

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

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