Homogeneity and composition of AlInGaN: A multiprobe nanostructure study.

Krause, Florian F; Ahl, Jan-Philipp; Tytko, Darius; Choi, Pyuck-Pa; Egoavil, Ricardo; Schowalter, Marco; Mehrtens, Thorsten; Müller-Caspary, Knut; Verbeeck, Johan; Raabe, Dierk; Hertkorn, Joachim; Engl, Karl; Rosenauer, Andreas.

Afiliação

Krause FF; Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Germany. Electronic address: f.krause@ifp.uni-bremen.de.
Ahl JP; OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany.
Tytko D; Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max-Planck-Str. 1, 40237 Düsseldorf , Germany.
Choi PP; Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max-Planck-Str. 1, 40237 Düsseldorf , Germany.
Egoavil R; EMAT, Universiteit Antwerpen, Groenenborgerlaan 171, 2020 Antwerpen, Belgium.
Schowalter M; Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Germany.
Mehrtens T; Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Germany.
Müller-Caspary K; Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Germany.
Verbeeck J; EMAT, Universiteit Antwerpen, Groenenborgerlaan 171, 2020 Antwerpen, Belgium.
Raabe D; Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max-Planck-Str. 1, 40237 Düsseldorf , Germany.
Hertkorn J; OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany.
Engl K; OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany.
Rosenauer A; Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Germany.