Thickness-dependent charge transport in few-layer MoS2 field-effect transistors.

Lin, Ming-Wei; Kravchenko, Ivan I; Fowlkes, Jason; Li, Xufan; Puretzky, Alexander A; Rouleau, Christopher M; Geohegan, David B; Xiao, Kai.

Afiliação

Lin MW; Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831, USA.

Nanotechnology ; 27(16): 165203, 2016 Apr 22.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26963583

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

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