Erratum: High current density GaAs/Si rectifying heterojunction by defect free Epitaxial Lateral overgrowth on Tunnel Oxide from nano-seed.

Renard, Charles; Molière, Timothée; Cherkashin, Nikolay; Alvarez, José; Vincent, Laetitia; Jaffré, Alexandre; Hallais, Géraldine; Connolly, James Patrick; Mencaraglia, Denis; Bouchier, Daniel.

Sci Rep ; 6: 29875, 2016 Sep 22.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27653206

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

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