Correction to Improved Contacts to MoS<sub>2</sub> Transistors by Ultra-High Vacuum Metal Deposition.

Correction to Improved Contacts to MoS₂ Transistors by Ultra-High Vacuum Metal Deposition.

English, Chris D; Shine, Gautam; Dorgan, Vincent E; Saraswat, Krishna C; Pop, Eric.

Nano Lett ; 17(4): 2739, 2017 04 12.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28367629

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article

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