Interfacial redox processes in memristive devices based on valence change and electrochemical metallization. | Faraday Discuss;213(0): 41-52, 2019 02 18. | MEDLINE

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Interfacial redox processes in memristive devices based on valence change and electrochemical metallization.

Liu, Keqin; Qin, Liang; Zhang, Xiaoxian; Zhu, Jiadi; Sun, Xinhao; Yang, Ke; Cai, Yimao; Yang, Yuchao; Huang, Ru.

Afiliação

Liu K; Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China. yuchaoyang@pku.edu.cn ruhuang@pku.edu.cn.

Faraday Discuss ; 213(0): 41-52, 2019 02 18.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30357249

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article

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