Probing the uniformity of hydrogen intercalation in quasi-free-standing epitaxial graphene on SiC by micro-Raman mapping and conductive atomic force microscopy. | Nanotechnology;30(28): 284003, 2019 Jul 12. | MEDLINE

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Probing the uniformity of hydrogen intercalation in quasi-free-standing epitaxial graphene on SiC by micro-Raman mapping and conductive atomic force microscopy.

Giannazzo, F; Shtepliuk, I; Ivanov, I G; Iakimov, T; Kakanakova-Georgieva, A; Schilirò, E; Fiorenza, P; Yakimova, R.

Afiliação

Giannazzo F; Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Strada VIII, n. 5, Zona Industriale, I-95121, Catania, Italy.

Nanotechnology ; 30(28): 284003, 2019 Jul 12.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30913546

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article

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