Kinetic study of hydrogen lateral diffusion at high temperature in a directly-bonded InP-SiO<sub>2</sub>/Si substrate.

Kinetic study of hydrogen lateral diffusion at high temperature in a directly-bonded InP-SiO₂/Si substrate.

Besancon, C; Fournel, F; Sanchez, L; Vaissiere, N; Dupré, C; Le Goec, J-P; Muffato, V; Jany, C; Bassani, F; David, S; Baron, T; Decobert, J.

Afiliação

Besancon C; III-V Lab, a joint lab of Nokia Bell Labs, Thales Research and Technology and CEA LETI, 91120 Palaiseau, France. Univ. Grenoble Alpes; CNRS, CEA LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France.

Nanotechnology ; 31(13): 135205, 2020 Mar 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31778988

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article