Unipolar resistive switching behavior in Al2O3/HfO2 multilayer dielectric stacks: fabrication, characterization and simulation.

Unipolar resistive switching behavior in Al₂O₃/HfO₂ multilayer dielectric stacks: fabrication, characterization and simulation.

Maestro-Izquierdo, M; Gonzalez, M B; Jimenez-Molinos, F; Moreno, E; Roldan, J B; Campabadal, F.

Afiliação

Maestro-Izquierdo M; Institut de Microelectrònica de Barcelona, IMB-CNM, CSIC, Carrer dels Til·lers s/n, Campus UAB. E-08193 Bellaterra, Spain.

Nanotechnology ; 31(13): 135202, 2020 Mar 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31810070

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article