Above 25ânm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes. | Opt Express;28(15): 22524-22539, 2020 Jul 20. | MEDLINE

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Above 25ânm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes.

Kafar, A; Ishii, R; Gibasiewicz, K; Matsuda, Y; Stanczyk, S; Schiavon, D; Grzanka, S; Tano, M; Sakaki, A; Suski, T; Perlin, P; Funato, M; Kawakami, Y.

Opt Express ; 28(15): 22524-22539, 2020 Jul 20.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-32752512

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article

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