Growth kinetics and substrate stability during high-temperature molecular beam epitaxy of AlN nanowires.

John, P; Gómez Ruiz, M; van Deurzen, L; Lähnemann, J; Trampert, A; Geelhaar, L; Brandt, O; Auzelle, T.

Afiliação

John P; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
Gómez Ruiz M; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
van Deurzen L; School of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, NY 14853, United States of America.
Lähnemann J; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
Trampert A; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
Geelhaar L; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
Brandt O; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
Auzelle T; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.

Nanotechnology ; 34(46)2023 Sep 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-37579739