Detalhe da pesquisa
1.
Sub-surface Imaging of Porous GaN Distributed Bragg Reflectors via Backscattered Electrons.
Microsc Microanal
; 30(2): 208-225, 2024 Apr 29.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38578956
2.
InGaN as a Substrate for AC Photoelectrochemical Imaging.
Sensors (Basel)
; 19(20)2019 Oct 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31614420
3.
Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties.
Nano Lett
; 17(8): 4846-4852, 2017 08 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28707893
4.
A study of the optical and polarisation properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and m-plane GaN substrates.
Sci Technol Adv Mater
; 17(1): 736-743, 2016.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27933113
5.
Segregation of In to dislocations in InGaN.
Nano Lett
; 15(2): 923-30, 2015 Feb 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25594363
6.
Nanocathodoluminescence Reveals Mitigation of the Stark Shift in InGaN Quantum Wells by Si Doping.
Nano Lett
; 15(11): 7639-43, 2015 Nov 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26488912
7.
Practical Issues for Atom Probe Tomography Analysis of III-Nitride Semiconductor Materials.
Microsc Microanal
; 21(3): 544-56, 2015 Jun.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25926083
8.
Low defect large area semi-polar (11[Formula: see text]2) GaN grown on patterned (113) silicon.
Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys
; 252(5): 1104-1108, 2015 May.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26212392
9.
Coincident electron channeling and cathodoluminescence studies of threading dislocations in GaN.
Microsc Microanal
; 20(1): 55-60, 2014 Feb.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24230966
10.
Scanning capacitance microscopy of GaN-based high electron mobility transistor structures: A practical guide.
Ultramicroscopy
; 254: 113833, 2023 Dec.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37666104
11.
Additive GaN Solid Immersion Lenses for Enhanced Photon Extraction Efficiency from Diamond Color Centers.
ACS Photonics
; 10(9): 3374-3383, 2023 Sep 20.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37743941
12.
Carrier dynamics at trench defects in InGaN/GaN quantum wells revealed by time-resolved cathodoluminescence.
Nanoscale
; 14(2): 402-409, 2022 Jan 06.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34919106
13.
Origin(s) of Anomalous Substrate Conduction in MOVPE-Grown GaN HEMTs on Highly Resistive Silicon.
ACS Appl Electron Mater
; 3(2): 813-824, 2021 Feb 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33644761
14.
Characterisation of InGaN by Photoconductive Atomic Force Microscopy.
Materials (Basel)
; 11(10)2018 Sep 21.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30248899
15.
Hysteretic Photochromic Switching (HPS) in Doubly Doped GaN(Mg):Eu-A Summary of Recent Results.
Materials (Basel)
; 11(10)2018 Sep 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30248983
16.
Surface Zeta Potential and Diamond Seeding on Gallium Nitride Films.
ACS Omega
; 2(10): 7275-7280, 2017 Oct 31.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31457302
17.
Self-assembled Multilayers of Silica Nanospheres for Defect Reduction in Non- and Semipolar Gallium Nitride Epitaxial Layers.
Cryst Growth Des
; 16(2): 1010-1016, 2016 Feb 03.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27065755
18.
Cavity Enhancement of Single Quantum Dot Emission in the Blue.
Nanoscale Res Lett
; 5(3): 608-612, 2009 Dec 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-20672074
19.
Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
Phys Rev Lett
; 99(19): 197403, 2007 Nov 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-18233112