Strain in ultrathin epitaxial films of Ge/Si(100) measured by ion scattering and channeling.
Phys Rev Lett
; 59(6): 664-667, 1987 Aug 10.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-10035839
Buscar no Google
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Ano de publicação:
1987
Tipo de documento:
Article