Fractional stoichiometry of the GaAs(001)c(4 x 4) surface: An in-situ x-ray scattering study.
Phys Rev Lett
; 62(5): 563-566, 1989 Jan 30.
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em En
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| ID: mdl-10040267
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Idioma:
En
Ano de publicação:
1989
Tipo de documento:
Article