Photoinduced dehydrogenation of defects in undoped a-si:H using positron annihilation spectroscopy. | Phys Rev Lett;84(4): 769-72, 2000 Jan 24. | MEDLINE

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Photoinduced dehydrogenation of defects in undoped a-si:H using positron annihilation spectroscopy.

Zou, X; Chan, Y C; Webb, D P; Lam, Y W; Hu, Y F; Beling, C D; Fung, S; Weng, H M.

Afiliação

Zou X; Department of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, China.

Phys Rev Lett ; 84(4): 769-72, 2000 Jan 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-11017368

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Ano de publicação: 2000 Tipo de documento: Article

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