The study on photoreflectance characteristic of semi-insulating GaAs surface region by its exposure to 6 MeV electron beam.

Yu, J I; Kim, K H; Bae, I H; Lee, D Y; Kim, D L

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The study on photoreflectance characteristic of semi-insulating GaAs surface region by its exposure to 6 MeV electron beam.

Yu, J I; Kim, K H; Bae, I H; Lee, D Y; Kim, D L.

Afiliação

Yu JI; Department of Physics, Yeungnam University, Gyeongsan 712-749, South Korea.

Spectrochim Acta A Mol Biomol Spectrosc ; 61(11-12): 2640-2, 2005 Sep.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-16043058

Assuntos

Arsenicais/química; Elétrons; Gálio/química; Fotoquímica; Óptica e Fotônica; Fótons; Análise Espectral

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Fotoquímica / Arsenicais / Elétrons / Gálio Idioma: En Ano de publicação: 2005 Tipo de documento: Article

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Fotoquímica / Arsenicais / Elétrons / Gálio Idioma: En Ano de publicação: 2005 Tipo de documento: Article