Physical origin of hydrogen-adsorption-induced metallization of the SiC surface: n-type doping via formation of hydrogen bridge bond.

Chang, Hao; Wu, Jian; Gu, Bing-Lin; Liu, Feng; Duan, Wenhui.

Afiliação

Chang H; Department of Physics and Center for Advanced Study, Tsinghua University, Beijing 100084, People's Republic of China.

Phys Rev Lett ; 95(19): 196803, 2005 Nov 04.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-16384009

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2005 Tipo de documento: Article

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