1-D simulation of a novel nonvolatile resistive random access memory device.

Meyer, René; Kohlstedt, Hermann

Meyer, René; Kohlstedt, Hermann.

Afiliação

Meyer R; Institut für Festkörperforschung, the Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology, Forschungszentrum Jülich, Germany. rmeyer2@stanford.edu

IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control ; 53(12): 2340-8, 2006 Dec.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-17186916

Assuntos

Desenho Assistido por Computador; Eletroquímica/instrumentação; Armazenamento e Recuperação da Informação/métodos; Nanotecnologia/instrumentação; Semicondutores; Impedância Elétrica; Eletroquímica/métodos; Campos Eletromagnéticos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Teste de Materiais; Nanotecnologia/métodos

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Armazenamento e Recuperação da Informação / Desenho Assistido por Computador / Nanotecnologia / Eletroquímica Tipo de estudo: Clinical_trials / Prognostic_studies Idioma: En Ano de publicação: 2006 Tipo de documento: Article

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