Evolution of photoluminescence mechanisms of Si(+)-implanted SiO2 films with thermal annealing.

Ding, L; Chen, T P; Liu, Y; Ng, C Y; Yang, M; Wong, J I; Zhu, F R; Tan, M C; Fung, S; Chen, X D; Huang, Y.

Afiliação

Ding L; School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798.

J Nanosci Nanotechnol ; 8(7): 3555-60, 2008 Jul.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19051910

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article

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